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成果展現

身分識別種類
主聘系所材料工程系
教師姓名彭坤增
所屬計劃案
專利/新品種 名稱偵測一氧化碳濃度之晶片結構及其製造方法
專利區域國內
專利類型發明專利
作者順序第一作者
進度狀況已核准
申請日期/生效日期2017/05/01
終止日期2036/01/28
發照機關經濟部智慧財產局
證書字號發明第I580971號
技轉或授權
技術報告分數
專利申請人名稱彭坤增
專利申請人類型本校
授權廠商名稱1
技術移轉金額或授權金額1
技術移轉或授權起始日1
技術移轉或授權終止日1
授權廠商名稱2
技術移轉金額或授權金額2
技術移轉或授權起始日2
技術移轉或授權終止日2
說明本發明提供一種偵測一氧化碳濃度之晶片結構及其製造方法,其製備過程包含設置一基板,並濺鍍一金屬層於其上,快速退火後再濺鍍一氧化鋅摻錳層於該金屬層之上,最後再對該氧化鋅摻錳層進行高溫熱處理,產生一矽酸鋅結晶相,此時該金屬層之金屬原子將沿該矽酸鋅結晶相結構連通至

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