透過獨家的製程技術，進一步製作出全蒸鍍型之鈣鈦礦元件，並讓該元件具有弱光發電(>38% @ 1000 lux)與極弱光感測(D* > 10¹³ J)之功能，其特性可比擬矽半導體並滿足業界OLED量產之流程。