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發明人

公告說明

Physical vapor deposition of an Aluminum Nitride film

美國發明專利

US9484198B1

李志偉、張振德、楊永欽

一種氮化鋁薄膜的物理氣相沉積方法，含有下列步驟：於密閉腔室內置入基板及鋁靶材；對密閉腔室抽真空，使其壓力達背景壓力7.1X10-7至5X10-6torr；通入含氬氣與氮氣的工作氣體至腔室，使腔室壓力達工作壓力3至7mtorr；以及於工作壓力與基板溫度室溫至200℃下，藉由施加高功率脈衝直流電源至鋁靶材與直流偏壓電源至基板，沉積氮化鋁薄膜於基板上，而高功率脈衝直流電源的功率為500至600W，高功率脈衝直流電源的頻率為750至1250Hz，直流偏壓電源的偏壓為-50至0V。

氮化鋁薄膜的物理氣相沉積

台灣發明專利

I564410

李志偉、張振德、楊永欽

一種氮化鋁薄膜的物理氣相沉積方法，含有下列步驟：於密閉腔室內置入基板及鋁靶材；對密閉腔室抽真空，使其壓力達背景壓力7.1X10-7至5X10-6torr；通入含氬氣與氮氣的工作氣體至腔室，使腔室壓力達工作壓力3至7mtorr；以及於工作壓力與基板溫度室溫至200℃下，藉由施加高功率脈衝直流電源至鋁靶材與直流偏壓電源至基板，沉積氮化鋁薄膜於基板上，而高功率脈衝直流電源的功率為500至600W，高功率脈衝直流電源的頻率為750至1250Hz，直流偏壓電源的偏壓為-50至0V。

高熵合金薄膜及其製造方法

台灣發明專利

I757096

李志偉、駱碧秀、楊永欽、趙昕

一種高熵合金薄膜，其成分包括鈦、鋯、鈮、鉭以及鐵；藉此，以具有高度生物相容性的元素組合製成高熵合金薄膜的同時，又透過加入鐵元素而提升非晶質之形成能力，並且降低成本；更進一步地，本發明人藉由調整該高熵合金薄膜中鈦元素成分之含量，進而改變該高熵合金薄膜之微結構、機械性質、抗腐蝕性。